UPA2690T1R-E2-AX

Renesas Electronics Corporation

UPA2690T1R-E2-AX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6HUSON

Aktiv6-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 2A, 4.5V
Basis-TeilenummerUPA2690
KonfigurationN and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3A
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-HUSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)