UPA2680T1E-E2-AT

Renesas Electronics Corporation

UPA2680T1E-E2-AT

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 3A 6MLP

Obsolet6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 10 V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MLP (3x3)