UPA2670T1R-E2-AX

Renesas Electronics Corporation

UPA2670T1R-E2-AX

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON

Obsolet6-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs79mOhm @ 1.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerUPA2670
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds473pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-HUSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)