UPA2650T1E-E2-AT

Renesas Electronics Corporation

UPA2650T1E-E2-AT

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MLP

Obsolet6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerUPA2650
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A
Power - Max1.1W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MLP (3x3)