UPA2350T1P-E4-A

Renesas Electronics Corporation

UPA2350T1P-E4-A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 6A LGA

Obsolet4-XFBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerUPA2350
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds542pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Power - Max1.3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA
Hersteller-Gehäuse4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C