UPA1952TE-T1-A

Renesas Electronics Corporation

UPA1952TE-T1-A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2A SC95

ObsoletSC-95Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 1A, 4.5V
Basis-TeilenummerUPA1952
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds272pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Power - Max1.15W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-95
Hersteller-GehäuseSC-95

Umwelt

Betriebstemperatur150°C