Allgemein
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 30mA, 3A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 800 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 3.5W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 10-SIP |
| Hersteller-Gehäuse | 10-SIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|