RMWV6416AGSD-5S2#HA0

Renesas Electronics Corporation

RMWV6416AGSD-5S2#HA0

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 64MBIT PAR 52TSOP II

Aktiv52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM
Zugriffszeit55 ns
Basis-TeilenummerRMWV6416
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit55ns

Elektrisch

Speichergröße64Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization8M x 8, 4M x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Hersteller-Gehäuse52-TSOP II

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)