Allgemein
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Technologie | Standard |
Renesas Electronics Corporation
RJU4351SDPE-00#J3
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 430 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 430 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-83 |
| Hersteller-Gehäuse | LDPAK |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|