RJM0306JSP-01#J0

Renesas Electronics Corporation

RJM0306JSP-01#J0

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerRJM0306
Konfiguration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A
Power - Max2.2W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP