RJK03P9DPA-00#J5A

Renesas Electronics Corporation

RJK03P9DPA-00#J5A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A 8WPAK

Obsolet8-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerRJK03P9
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A, 50A
Power - Max15W, 35W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-WPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)