RJJ0315DPA-00#J5A

Renesas Electronics Corporation

RJJ0315DPA-00#J5A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 35A

Obsolet8-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 17.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 10 V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta)
Max. Verlustleistung30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-WDFN Exposed Pad

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)