RBA250N04AHPF-4UA01#GB0

Renesas Electronics Corporation

RBA250N04AHPF-4UA01#GB0

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.85mOhm @ 125A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs368 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds19350 pF @ 25 V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250A (Tc)
Max. Verlustleistung1.8W (Ta), 348W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur175°C
QualificationAEC-Q101