Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 12 ns |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 12ns |
Renesas Electronics Corporation
R1RW0416DGE-2LR#B1
DatenblattSpeicher & Storage
SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0T
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 3V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 256K x 16 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Hersteller-Gehäuse | 44-SOJ |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|