R1LV0216BSB-5SI#B1

Renesas Electronics Corporation

R1LV0216BSB-5SI#B1

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

Aktiv44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM
Zugriffszeit55 ns
Basis-TeilenummerR1LV0216
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit55ns

Elektrisch

Speichergröße2Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 16

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Hersteller-Gehäuse44-TSOP II

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)