R1EV5801MBTDRDI#B0

Renesas Electronics Corporation

R1EV5801MBTDRDI#B0

Speicher & Storage

IC EEPROM 1MBIT PAR 32TSOP I

Obsolet32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Zugriffszeit150 ns
Basis-TeilenummerR1EV5801
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieR1EV5801MB
Schreibzykluszeit10ms

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 5.5V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse32-TSOP I

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)