Allgemein
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.7dB @ 1GHz |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
Renesas Electronics Corporation
NESG340033-T1B-A
Analog & Leistungselektronik
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 15mA, 3.3V |
| Power - Max | 480mW |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 12dB |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Hersteller-Gehäuse | 3-MINIMOLD |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|