Allgemein
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
Renesas Electronics Corporation
NESG2101M05-T1-A
Analog & Leistungselektronik
NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 15mA, 2V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 17GHz |
| Gain | 11dB ~ 19dB |
Mechanisch
| Package / Case | SOT-343F |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | M05 |