Allgemein
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Obsolet |
| Transistor Type | NPN |
Renesas Electronics Corporation
NESG2031M05-T1-A
Analog & Leistungselektronik
NESG2031 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 5mA, 2V |
| Power - Max | 175mW |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Gain | 10dB ~ 17dB |
Mechanisch
| Package / Case | SOT-343F |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | M05 |