Allgemein
| Konfiguration | N-Channel |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Noise Figure | 0.65dB |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | GaAs HJ-FET |
Renesas Electronics Corporation
NE3513M04-T2B-A
Analog & Leistungselektronik
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Power - Output | 125mW |
|---|---|
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 60mA |
| Frequenz | 12GHz |
| Gain | 13dB |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Hersteller-Gehäuse | 4-Super Mini Mold |