Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 15A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 10 V |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 2W (Ta), 20W (Tc) |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Isolated Tab |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
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