N0400P-ZK-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

N0400P-ZK-E1-AY

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

ABU / MOSFET

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 7.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 10 V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Max. Verlustleistung1W (Ta), 25W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252

Umwelt

Betriebstemperatur150°C