Allgemein
| Speichertyp | Non-Volatile |
|---|---|
| Technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Zugriffszeit | 45 ns |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Last Time Buy |
| Schreibzykluszeit | 45ns |
Renesas Electronics Corporation
M3008316045NX0IBCR
DatenblattSpeicher & Storage
M3008316 8MB PARALLEL ASYNCHRONO
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 8Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | RAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 512K x 16 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 484-BGA |
| Hersteller-Gehäuse | 484-CABGA (23x23) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
|---|