ISL6615IRZ

Renesas Electronics Corporation

ISL6615IRZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Obsolet10-VFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerISL6615
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)13ns, 10ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)2.5A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36 V
Versorgungsspannung6.8V ~ 13.2V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse10-DFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)