ISL6609ACRZ

Renesas Electronics Corporation

ISL6609ACRZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN

Obsolet8-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerISL6609
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 8ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)-, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36 V
Logic Voltage - VIL, VIH1V, 2V
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-QFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 125°C (TJ)