ISL2100AAR3Z-T

Renesas Electronics Corporation

ISL2100AAR3Z-T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN

Aktiv9-VFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerISL2100
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)10ns, 10ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)2A, 2A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114 V
Logic Voltage - VIL, VIH3.7V, 7.4V
Versorgungsspannung9V ~ 14V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case9-VFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse9-DFN-EP (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)