HIP2211FBZ-T

Renesas Electronics Corporation

HIP2211FBZ-T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVER

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerHIP2211
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)115 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.47V, 1.84V
Versorgungsspannung6V ~ 18V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)