HIP2106AIRZ

Renesas Electronics Corporation

HIP2106AIRZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Abgekündigt10-VFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerHIP2106
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusLast Time Buy

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)-, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH1.3V, 1.9V
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse10-DFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)