HAT1126RWS-E

Renesas Electronics Corporation

HAT1126RWS-E

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 60V 6A 8SOP

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerHAT1126
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 10V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Power - Max3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C