HAT1043M-EL-E

Name: HAT1043M-EL-E
Brand: Renesas Electronics Corporation

Analog & Leistungselektronik

4.4A, 20V, P-CHANNEL MOSFET

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 10 V
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Bulk
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.4A (Ta)
Max. Verlustleistung	1.05W (Ta)

Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse	6-TSOP

Betriebstemperatur	150°C (TJ)