Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.5A, 10V |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | HAF1002 |
| FET Type | P-Channel |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +3V, -16V |
Renesas Electronics Corporation
HAF1002-90STL-E
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 50W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-83 |
| Hersteller-Gehäuse | LDPAK |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|