AT25QL321-MHE-T

Renesas Electronics Corporation

AT25QL321-MHE-T

Datenblatt

Speicher & Storage

32 MBIT, 1.8V (1.7V TO 2V), -40C

Aktiv8-UDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NOR (SLC)
Zugriffszeit7 ns
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit150µs, 5ms

Elektrisch

Speichergröße32Mbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
Taktfrequenz104 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 2V
Memory Organization4M x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-UDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-UDFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)