71V65603S100BQ

Renesas Electronics Corporation

71V65603S100BQ

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA

Aktiv165-TBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Zugriffszeit5 ns
Basis-Teilenummer71V65603
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz100 MHz
Versorgungsspannung3.135V ~ 3.465V
Memory Organization256K x 36

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case165-TBGA
Hersteller-Gehäuse165-CABGA (13x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)