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71V416L10BE8

Renesas Electronics Corporation

71V416L10BE8

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

Obsolet48-TFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-Teilenummer71V416L
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung3V ~ 3.6V
Memory Organization256K x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case48-TFBGA
Hersteller-Gehäuse48-CABGA (9x9)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)

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Prüfung erforderlich

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