71V124SA10TYG

Renesas Electronics Corporation

71V124SA10TYG

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Aktiv32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-Teilenummer71V124
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung3.15V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Hersteller-Gehäuse32-SOJ

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)