70V657S12BC8

Renesas Electronics Corporation

70V657S12BC8

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

Aktiv256-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit12 ns
Basis-Teilenummer70V657
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit12ns

Elektrisch

Speichergröße1.125Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung3.15V ~ 3.45V
Memory Organization32K x 36

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case256-LBGA
Hersteller-Gehäuse256-CABGA (17x17)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)