70V3579S5DR

Renesas Electronics Corporation

70V3579S5DR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP

Obsolet208-BFQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit5 ns
Basis-Teilenummer70V3579
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete

Elektrisch

Speichergröße1.125Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung3.15V ~ 3.45V
Memory Organization32K x 36

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case208-BFQFP
Hersteller-Gehäuse208-PQFP (28x28)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)