70T659S10BFI8

Renesas Electronics Corporation

70T659S10BFI8

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

Aktiv208-LFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-Teilenummer70T659
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße4.5Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization128K x 36

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case208-LFBGA
Hersteller-Gehäuse208-CABGA (15x15)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)