70T653MS10BC

Renesas Electronics Corporation

70T653MS10BC

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256CABGA

Aktiv256-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-Teilenummer70T653
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße18Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 36

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case256-LBGA
Hersteller-Gehäuse256-CABGA (17x17)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)