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70T651S12BF8

Renesas Electronics Corporation

70T651S12BF8

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

Aktiv208-LFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit12 ns
Basis-Teilenummer70T651
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit12ns

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization256K x 36

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case208-LFBGA
Hersteller-Gehäuse208-CABGA (15x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)

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Prüfung erforderlich

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