70T651S10DR

Renesas Electronics Corporation

70T651S10DR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP

Obsolet208-BFQFPSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-Teilenummer70T651
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization256K x 36

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case208-BFQFP
Hersteller-Gehäuse208-PQFP (28x28)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)