70T633S10BF

Renesas Electronics Corporation

70T633S10BF

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

Aktiv208-LFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Zugriffszeit10 ns
Basis-Teilenummer70T633
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit10ns

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 18

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case208-LFBGA
Hersteller-Gehäuse208-CABGA (15x15)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)