70T3339S200BC

Renesas Electronics Corporation

70T3339S200BC

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

Aktiv256-LBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit3.4 ns
Basis-Teilenummer70T3339
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive

Elektrisch

Speichergröße9Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Taktfrequenz200 MHz
Versorgungsspannung2.4V ~ 2.6V
Memory Organization512K x 18

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case256-LBGA
Hersteller-Gehäuse256-CABGA (17x17)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)