Renesas Electronics Corporation
MOSFET N-CH 60V 2A UPAK
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 1A, 4V |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | 2SK2315 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 173 pF @ 10 V |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Last Time Buy |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drain-Source-Spannung | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 1W (Ta) |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-243AA |
| Hersteller-Gehäuse | UPAK |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
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