2SK1317-E

Renesas Electronics Corporation

2SK1317-E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 2A, 15V
Basis-Teilenummer2SK1317
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds990 pF @ 10 V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Max. Verlustleistung100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-3P

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)