Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SK1058 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 10 V |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
Renesas Electronics Corporation
2SK1058-E
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 160 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 100W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|