Allgemein
| FET Type | P-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
Renesas Electronics Corporation
2SJ162-E
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 160 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 100W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|