Allgemein
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 280MHz |
Mechanisch
| Package / Case | 3-SSIP |
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Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
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