UPA1728G-E1-AT

Renesas Electronics America Inc

UPA1728G-E1-AT

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWER MOSFET

Aktiv8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1700 pF @ 10 V
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-PSOP