Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 102 pF @ 0 V |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1mA |
Renesas Electronics America Inc
RQA0002DNSTB-E
Analog & Leistungselektronik
MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 16 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 15W (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 3-DFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | 2-HWSON (5x4) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C |
|---|